從近幾年國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備發(fā)展的情況來(lái)看，在國(guó)產(chǎn)設(shè)備企業(yè)在政策和資金大力支持下，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商得以在刻蝕、薄膜沉積、測(cè)試等多個(gè)領(lǐng)域不斷取得突破——根據(jù)德邦證券的調(diào)研報(bào)告顯示，中微公司和北方華創(chuàng)分別在CCP和ICP刻蝕設(shè)備領(lǐng)域取得突破，部分產(chǎn)品已進(jìn)入先進(jìn)制程生產(chǎn)線驗(yàn)證；北方華創(chuàng)在PVD領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了國(guó)產(chǎn)高*薄膜制備設(shè)備零的突破，設(shè)備覆蓋了90-14nm多個(gè)制程，沈陽(yáng)拓荊CVD設(shè)備成功進(jìn)入長(zhǎng)江存儲(chǔ)生產(chǎn)線。華峰測(cè)控模擬測(cè)試機(jī)國(guó)內(nèi)*占率已達(dá)60%，后續(xù)SOC項(xiàng)目推進(jìn)可能為公司帶來(lái)新的增長(zhǎng)空間。

但除了這些廣為被業(yè)界所知的半導(dǎo)體設(shè)備以外，可靠性測(cè)試設(shè)備也是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的重要環(huán)節(jié)。據(jù)了解，可靠性測(cè)試設(shè)備能夠模擬環(huán)境并通過(guò)檢測(cè)確保產(chǎn)品達(dá)到在研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造中預(yù)期的質(zhì)量目標(biāo)。而這種檢測(cè)方式一方面可以保障企業(yè)產(chǎn)品品質(zhì)，同時(shí)也能夠提升企業(yè)產(chǎn)品在市場(chǎng)中的競(jìng)爭(zhēng)力。

其中，半導(dǎo)體溫度測(cè)試系統(tǒng)也是環(huán)境可靠性測(cè)試中的重要一環(huán)，相關(guān)媒體報(bào)道稱(chēng)，半導(dǎo)體溫度測(cè)試系統(tǒng)對(duì)于國(guó)內(nèi)提供相關(guān)設(shè)備的企業(yè)來(lái)說(shuō)，有較大的業(yè)務(wù)增長(zhǎng)點(diǎn)，待建廠完畢后，相應(yīng)的IC設(shè)計(jì)、晶圓制造及加工、封測(cè)等相關(guān)企業(yè)開(kāi)始運(yùn)轉(zhuǎn)，半導(dǎo)體溫度測(cè)試系統(tǒng)也將迎來(lái)新的需求增長(zhǎng)。

具體來(lái)看，從電子工程專(zhuān)輯此前的報(bào)道中顯示，在晶圓測(cè)試中所涉及的溫度測(cè)試，目前主要有三種應(yīng)用：

1.根據(jù)Arrhenius的方程原理，半導(dǎo)體行業(yè)認(rèn)識(shí)到溫度可以用來(lái)估計(jì)設(shè)備的壽命，因此，用溫度測(cè)試來(lái)確定高溫工作壽命(HTOL:High-temperature Operating Life)。

2.有特定用途的設(shè)備，如應(yīng)用于空間、戶(hù)外和汽車(chē)，需要承受更惡劣的環(huán)境和廣泛的溫度范圍。例如，所有的汽車(chē)芯片通常需要在-40℃到+150℃的范圍內(nèi)進(jìn)行測(cè)試。

3.高壓芯片(例如高性能微處理器)的電子測(cè)試和大規(guī)模并行測(cè)試(DRAM和NAND芯片)是業(yè)界*的挑戰(zhàn)，需要迅速有效的冷卻以避免燒壞芯片。